碳化硅厂家生产的碳化硅为什么是第三代半导体重要的材料呢？
一、碳化硅器件的优势特性
碳化硅（SiC）是目前发展成熟的宽禁带半导体材料，对SiC的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划，而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。
二、与普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：
1、高压特性
碳化硅器件是同等硅器件耐压的10倍，碳化硅肖特基管耐压可达2400V。碳化硅场效应管耐压可达数万伏，且通态电阻并不很大。
2、高频特性
3、高温特性
碳化硅质耐火材料的透气率对其在使用过程中的稳定性有很大的意义。除了气孔率以外，透气率决定着坯体的结构(其作用大于气孔率)及其加热时的氧化能力。
透气率的降低，尤其当降低的数值时，显著地降低着碳化硅质制品在高温(1500- 1600℃)时的氧化度。于较低的温度时，透气率值的影响较小。
碳化硅质耐火材料的透气率对其在使用过程中的稳定性有很大的意义。除了气孔率以外，透气率决定着坯体的结构(其作用大于气孔率)及其加热时的氧化能力。
透气率的降低，尤其当降低的数值时，显著地降低着碳化硅质制品在高温(1500- 1600℃)时的氧化度。于较低的温度时，透气率值的影响较小。
以上信息由专业从事碳化硅特点的晟鑫丹冶金于2024/5/4 10:00:10发布
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