公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
MOS管的选型是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，同时也会给工程师带来诸多麻烦。
为设计选择正确器件的头一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。
在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。 当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。
公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
0世纪以来，集成电路产业发展迅速，MOS器件是集成电路的重要元器件，需求量持续增大。MOS，是MOSFET的缩写，是金属-氧化物半导体场效应晶体管，具有输入阻抗高、稳定性好、噪声小等优点，是重要的功率分立器件之一，在通信、电子、家电、汽车、物联网、车联网等领域应用广泛。随着半导体工艺制程进入纳米阶段，围栅硅纳米线MOS器件成为关注重点。
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电源作为电子设备的配电元器件，除开特性要考虑供电系统设备的规定以外，其自己的防护措施也很重要，如过电流、过电压、超温维护等。一旦电源没有过流保护设计方案，在输出短路故障或过载的时候会造成电源损坏，也有很有可能进一步造成电子设备毁坏，乃至造成实际操作工作人员的触电事故及火情等安全事故，而电源的过流保护跟使用的MOS管相关。
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结型场效应管的管脚识别：场效应管的栅极也就是晶体管的那个基极，漏极和源极分别是对应晶体管的集电极和发射极。把万用表调到R×1k档，用两表笔分别去测量两个管脚间的正向电阻和反向电阻。当某两个管脚间的正向电阻=反向电阻=KΩ的时候，也就是这两个管脚为源极S和漏极D，剩下的管脚就是栅极G。如果是4个管脚的结型场效应管，另外的一极则是使用中接地的屏蔽极。
以上信息由专业从事3080mos生产厂家的炫吉电子于2024/5/14 10:26:44发布
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