公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
0世纪以来，集成电路产业发展迅速，MOS器件是集成电路的重要元器件，需求量持续增大。MOS，是MOSFET的缩写，是金属-氧化物半导体场效应晶体管，具有输入阻抗高、稳定性好、噪声小等优点，是重要的功率分立器件之一，在通信、电子、家电、汽车、物联网、车联网等领域应用广泛。随着半导体工艺制程进入纳米阶段，围栅硅纳米线MOS器件成为关注重点。
MOS管FET栅源保护：
1）避免 栅极 di/dt 过高
因为选用驱动集成ic，其输出阻抗较低，直推功率管会造成推动的功率管迅速的开启和断连，有可能导致功率管漏源极间的工作电压波动，或是有可能导致功率管遭到过高的 di/dt 而造成误通。为预防以上问题的产生，一般在 MOS 控制器的导出与 MOS 管的栅极中间串连一个电阻器，电阻器的尺寸一般选择几十欧母。
2）避免 栅源极间过压
因为栅极与源极的特性阻抗很高，漏极与源极间的工作电压基因突变会根据极间电容藕合到栅极而造成非常高的栅源顶i峰工作电压，此工作电压会使非常薄的栅源空气氧化层穿透，与此同时栅极非常容易累积正电荷也会使栅源空气氧化层穿透，因此，要在 MOS 管栅极串联稳压极管以限定栅极工作电压在稳压极管值下，保护 MOS 管不被穿透。
3）安全防护漏源极中间过压
尽管漏源击穿电压 VDS 一般都非常大，但假如漏源极不用保护电路，一样有可能由于器件电源开关一瞬间电流量的基因突变而造成漏极顶i峰工作电压，从而毁坏 MOS 管，功率管电源开关速率越快，造成的过压也就越高。为了更好地避免器件毁坏，一般选用齐纳二极管钳位和 RC 缓存电路等保护对策。
公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
功率MOSFET场效应管是较为常用的一类功率器件，中文全名是——金属氧化物半导体场效应管。它属于一种功率输出的器件，主要由金属、氧化物还有半导体三种材料构成。那么什么是功率MOSFET场效应管呢？
其实就是从名字来看，功率MOSFET场效应管就是它再工作时能输出较大的电流。场效应管的分类又分为很多种，其中围绕功耗的特性我们可以分成增强型和耗尽型，如果按照沟道来选的话又可以分成N沟道型和P沟道型。
场效应管在输出功率的系统中，主要被当做系统的开关。如果我们在N沟道场效应管的栅极和源极之间再加上一个电压，就会让其电源开关导通。电源开关导通之后，电流即可经过电源开关从漏极流入源极。其中在漏极和源极之间会存在一个内电阻，我们一般叫做导通电阻器RDS（ON）。我们一定要清楚场效应管的栅极实际上是一个高特性的阻抗端，所以我们需要在栅极上再添加一个电压。当源极和栅极间的电压为零时，电源开关关掉，而电流量终止根据器件。尽管这时候器件早已关掉，但依然有细微电流量存有，这称作泄露电流IDSS。
因为场效应管是电气控制系统中基本上的构件之一，挑选恰当的场效应管对全部设计方案是不是取得成功起着重要的功效。仅有掌握场效应管的种类及掌握决策他们的关键特性特性，设计方案工作人员才可以对于特殊设计方案挑选恰当的场效应管。
公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
以上信息由专业从事3080mos公司的炫吉电子于2024/5/22 13:00:05发布
转载请注明来源：http://www.zhizhuke.cn/qyzx/qyxx-2757133942.html
