一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。
公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
分辨MOS管优劣的原因：JFET的输入电阻超过100MΩ，而且跨导很高，当栅极引路时室内空间磁场非常容易在栅极上检测出工作电压数据信号，使管道趋向截至，或趋向通断。若将身体感应电压立即加在栅极上，因为键入电磁干扰较强，以上情况会更为显著。如表针向左边大幅偏转，就代表着管道趋向截至，漏-源极间电阻器RDS扩大，漏-源极间电流量减少IDS。相反，表针向右边大幅偏转，表明管道趋于通断，RDS↓，IDS↑。但表针到底向哪一个方位偏转，应视感应电压的正负极（正方向工作电压或反方向工作电压）及管道的工作中点而定。
公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
mos管，是在集成电路里的带有绝缘性的场效应管。MOS 管作为半导体领域基础的器件之一，不管是在板级电路的应用上，还是IC的设计里，都十分广泛。MOS管的drain和source是可以相互调换过来的的，都是在P型backgate里形成的一个N型区。在普遍的情况下，这两个区都是相同的，就算这两段相互调换过来也是不会去影响到器件的性能。所以这器件被认为是对称的。
以上信息由专业从事中低压mos万芯半导体的炫吉电子于2024/5/17 10:12:33发布
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