所谓透明电极一是要能够导电,二是要能够透光。
这种材料现在较为广泛应用在液晶生产工艺中,其名称叫氧化铟锡,英文缩写ITO,但它不能作为焊垫使用。
制作时先要在芯片表面做好欧姆电极,然后在表面覆盖一层ITO再在ITO表面镀一层焊垫。
这样从引线上下来的电流通过ITO层均匀分布到各个欧姆接触电极上,同时ITO由于折射率处于空气与外延材料折射率之间,可提高出光角度,光通量也可增加。
在LED芯片制作过程中,把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片,分捡出来,这些就是后面的散晶,此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片,也就自然成了边片。
刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试,对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理,这些晶圆片是不能直接用来做LED方片,也就不做任何分检了,直接卖给客户了,也就是目前市场上的LED大圆片(但是大圆片里也有好东西,如方片)。
LED制作流程分为两大部分。
首先在衬低上制作氮化家(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。
准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。
常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,还有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积在衬底表面。
通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例,从而控制镀膜成分、晶相等品质。
MOCVD外延炉是制作LED外延片蕞常用的设备。
LED芯片的分类——TS芯片和AS芯片LED芯片的分类有哪些呢?
TS芯片定义和特点
定义:transparent structure(透明衬底)芯片,该芯片属于HP的专i利产品。
特点:
(1)芯片工艺制作复杂,远高于AS LED。
(2)信赖性卓i越。
(3)透明的GaP衬底,不吸收光,亮度高。
(4)应用广泛。
AS芯片定义与特点
定义:Absorbable structure (吸收衬底)芯片;经过近四十年的发展努力,台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售处于成熟的阶段,各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平,差距不大。
大陆芯片制造业起步较晚,其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距,在这里我们所谈的AS芯片,特指UEC的AS芯片,eg:712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR等。
特点:
(1)四元芯片,采用MOVPE工艺制备,亮度相对于常规芯片要亮。
(2)信赖性优良。
(3)应用广泛。
在现阶段白光LED首要经过三种方法完成:
1、选用蓝光LED芯片和荧光粉,由蓝光和黄光两色互补得到白光或用蓝光LED芯片合作赤色和绿色荧光粉,由芯片宣布的蓝光、荧光粉宣布的红光和绿光三色混合取得白光;
2、使用紫外LED芯片宣布的近紫外激起三基色荧光粉得到白光。
3、选用红、绿、蓝三色LED组合发光即多芯片白光LED;
当前使用广泛的是第二种方法,选用蓝光LED芯片和荧光粉,互补得到白光。因而,此种芯片进步LED的流明功率,决议于蓝光芯片的初始光通量及光保持率。
以上信息由专业从事LED外延片定制厂家的杰生半导体于2024/5/10 9:06:55发布
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