晶体振荡器的基本原理及特性
晶振一般采用电容三端式(考毕兹) 交流等效振荡电路；实际的晶振交流等效电路其中 Cv 是用来调节振荡频率，一般用变容二极管加上不同的反偏电压来实现，这也是压控作用的机理；把晶体的等效电路代替晶体后。其中 Co，C1，L1，RR 是晶体的等效电路。采用泛音次数越高的晶振，其等效电容 C1 就越小；因此频率的变化范围也就越小。
为什么晶振尺寸越小,产品的灵活度越高
近年来，智能手机等移动设备、可穿戴式设备及IoT设备等使用智能的电子设备迅速普及。而且，为了提高产品的设计灵活度和可穿戴舒适度并确保配置新功能所用的空间，要求这些产品上搭载的元器件的尺寸和功耗降低到极限。以晶振为例，在智能硬件还未兴起的年代，3225贴片晶振使用较为广泛，2520也算是尺寸相对较小的无源晶振封装了。如今，智能产品上所搭载的无源晶振多以1612贴片晶振，2016贴片晶振为主。这些晶振由于体积过于渺小，需要放大镜甚至显微镜才能看清真实面目。电子元器件一致改小，那么它们之间的间距也会缩短，这样来，有个好处就是能让不同晶体管终端的电容量降低，从而提升它们的交换频率。因为每个晶体管在切换电子信号的时候，所消耗的动态功耗会直接和电流容量相关，从而使得运行速度加快，能耗变小。明白了这一点，也就不难理解为什么制程的数值越小，制程就越先进；元器件的尺寸越小，处理器的集成度越高，因此灵活度更高，处理器的功耗反而越低的道理了。
晶振的负载电容
晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。
一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略。
一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。负载电容+等效输入电容=22pF。
晶体振荡器在当今社会的应用
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