由碳与氟反应，或一氧1化碳与氟反应，或碳化硅与氟反应，或氟石与石油焦在电炉里反应，或二氟二氯甲1烷与氟化1氢反应，或四氯化1碳与氟化银反应，或四氯1化碳与氟化1氢反应，都能生成四氟化1碳。吸入四氟1化碳的后果与浓度有关，包括头1痛、恶心、头昏眼花及心1血管系统的破坏(主要是心脏)。长时间接触会导致严重的心脏破坏。对于硅和二氧化硅体系，采用CF4-O2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。
产品经除尘，碱洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等杂质、再经脱水可获得含量约为85%的粗品。将粗品引入低温精馏釜中进行间歇粗馏，通过控制精馏温度，除去O2、N2、H2，得到高纯CF4。四氟化碳贮存注意事项：气瓶不得靠近火源，不得受日光曝晒，与明火距离一般应该不小于10米，气瓶不得撞击。气瓶的瓶子严禁沾染油脂。由碳与氟反应，或与氟反应，或碳化硅与氟反应，或氟石与石油焦在电炉里反应，都能生成四氟化碳。
四氟化碳的溶氧性很好，因此被科学家用于超深度潜水实验代替普通压缩空气。目前已在老鼠身上获得成功，在275米到366米的深度内，小白鼠仍可安全脱险。随着芯片制程向7纳米迈进，细微杂质对芯片的损害更为明显，电子产业对高纯电子气体的纯度要求进一步提高，在此背景下，我国高纯四氟化碳生产技术与产品质量仍有提升空间。是微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体，高纯气高纯氧的混合气，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨等薄膜材料的蚀刻，在电子器件表面清洗、太阳能电池生产、激光技术、低温制冷、泄漏检验、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。
以上信息由专业从事四氟化碳厂家的安徽谱纯于2025/5/22 13:13:34发布
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