含镁大于2%的合金不能用。在高温,一些金属起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增长的次序由小到大地排列则如下:因科镍合金、奥氏体不锈钢、镍、钢、铝、铜、青铜、黄铜、银。四氟化1碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体,其高纯气及四氟化1碳高纯气配高纯氧气的混合体,可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。将其通过装有氢1氧化钠溶液的洗气瓶除去四氟1化硅,随后通过硅胶和五氧1化二磷干燥塔得到终产品。由于化学稳定性极强,CF4还可以用于金属冶炼和塑料行业等。
四氟化碳在900℃时,不与铜、镍、钨、钼反应,仅在碳弧温度下缓慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度为0.0015%(重量比),然而与可燃性气体燃烧时,会分解产生有毒氟化物。在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。在900℃时,不与铜、镍、钨、钼反应,仅在碳弧温度下缓慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度为0.0015%(重量比),然而与可燃性气体燃烧时,会分解产生有毒氟化物。
四氟化碳亦称全氟化碳、四氟甲4烷、全氟化碳,为非腐蚀性气体,所有通用材料如钢、不锈钢、铜、青铜,铝等金属材料都可以使用。四氟化碳有时会用作低温冷却剂。它可用于电路板的制造,以及制造绝缘物质和半导体。它是用作气体蚀刻剂及等离子体蚀刻版。预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉,置于镍盘中,使硅和碳化硅充分接触后,将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中,向反应管内通入氟气,氟气先和单质硅反应。
随着芯片制程向7纳米迈进,细微杂质对芯片的损害更为明显,电子产业对高纯电子气体的纯度要求进一步提高,在此背景下,我国高纯四氟化碳生产技术与产品质量仍有提升空间。四氟化碳贮存注意事项:气瓶使用和检验遵照《气瓶安全监察规程》的规定。气瓶内的气体不能全部用尽,应该留不小于0.04MPa剩余压力。我国人工智能、物联网市场仍在不断扩大,光伏发电累计装机容量不断上升,预计2020-2025年,我国高纯四氟化碳市场需求将继续以10.0%以上的增速增长。
以上信息由专业从事高浓度四氟化碳的安徽谱纯于2024/5/21 9:18:28发布
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